Download or read book CARACTERISATION ELECTRIQUE DES DEFAUTS INDUITS LORS DE L'INTEGRATION DE LA BASE D'UN TRANSISTOR BIPOLAIRE A HETEROJONCTION SIGE EN TECHNOLOGIE BICMOS written by OSCAR.. DE BARROS and published by . This book was released on 1997 with total page 222 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LES PROGRES DES TECHNIQUES D'EPITAXIE ONT PERMIS LA FABRICATION DE COUCHES DE SIGE CONTRAINT SUR SUBSTRAT SILICIUM ET LEUR MISE EN APPLICATION DANS DES TRANSISTORS BIPOLAIRES A HETEROJONCTION, PERMETTANT A LA TECHNOLOGIE SILICIUM D'ATTEINDRE DES PERFORMANCES DYNAMIQUES INTERESSANTES POUR LES APPLICATIONS HAUTE FREQUENCE. TOUTEFOIS L'INTEGRATION DE L'ALLIAGE SIGE DANS UNE FILIERE DOIT REPONDRE AU DOUBLE IMPERATIF DE QUALITE FINALE DE L'ALLIAGE ET DE PERTURBATION MINIMUM A APPORTER A LA FILIERE TECHNOLOGIQUE. C'EST DANS CET OBJECTIF ET DANS LE CADRE DE L'INTEGRATION DU TBH SIGE DANS UNE FILIERE BICMOS DEVELOPPEE AU CNET MEYLAN QUE S'INSCRIT CE SUJET DE THESE. AU COURS DE CE TRAVAIL, NOUS AVONS ETUDIE LA QUALITE DU SYSTEME EMETTEUR-BASE DES TRANSISTORS BIPOLAIRES A HETEROJONCTION A BASE SIGE A L'AIDE DE TECHNIQUES DE CARACTERISATION ELECTRIQUE, MESURE DE COURANT STATIQUE ET SPECTROSCOPIE DE TRANSITOIRE. LES RESULTATS EXPERIMENTAUX OBTENUS SUR DES TRANSITORS SIMPLE-POLYSILICIUM AUTOALIGNES ONT MIS EN EVIDENCE LA PRESENCE DE DEFAUTS DANS LA ZONE ACTIVE DU COMPOSANT, LOCALISES A LA PERIPHERIE DE LA JONCTION EMETTEUR-BASE LE LONG DES ESPACEURS SIO#2. L'ENERGIE D'ACTIVATION APPARENTE DE CES PIEGES EST DE 0,6 EV, CE QUI EN FAIT DES CENTRES DE RECOMBINAISON TRES EFFICACES. CES DEFAUTS AYANT PU ETRE CORRELES A L'ETAPE DE GRAVURE LORS DE LA DEFINITION DU SYSTEME EMETTEUR-BASE, LA QUALITE CRISTALLINE DES COUCHES EPITAXIEES N'EST DONC PAS DEGRADEE PAR LE PROCESS POST-EPITAXIE. CE RESULTAT EST UNE CONTRIBUTION AU CHOIX D'UNE NOUVELLE ARCHITECTURE POUR LES FILIERES DEVELOPPEES PLUS RECEMMENT, DANS LAQUELLE LA ZONE ACTIVE EST ELOIGNEE DES ZONES GRAVEES. LES ETUDES INITIEES SUR LES TRANSISTORS SIMPLE-POLYSILICIUM QUASI-AUTOALIGNES DE CETTE FILIERE MONTRENT LA PRESENCE DE PLUSIEURS NIVEAUX PROFONDS DANS LA BASE DU COMPOSANT, CE QUI EST UN POINT CRITIQUE POUR LE BON FONCTIONNEMENT DE CES COMPOSANTS.