Download or read book ETUDE STATIQUE ET DYNAMIQUE DE TRANSISTORS BIPOLAIRES A HETEROJONCTIONS (TBH) SIGE SUR SILICIUM INTEGRES DANS UNE TECHNOLOGIE BIPOLAIRE written by BENEDICTE.. LE TRON and published by . This book was released on 1995 with total page 168 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CE TRAVAIL CONCERNE LE DEVELOPPEMENT D'UN TRANSISTOR BIPOLAIRE A HETEROJONCTION SIGE SUR SILICIUM (TBH), DANS LE CADRE DE LA TECHNOLOGIE BIPOLAIRE AUTO-ALIGNEE, A EMETTEUR POLYSILICIUM GRAVE DEVELOPPEE AU CNET-MEYLAN. L'HETEROJONCTION SIGE-SI PERMET DE REDUIRE LA RESISTANCE DE LA BASE SANS DEGRADER LE GAIN DU TRANSISTOR ET D'OBTENIR DE FAIBLES TEMPS DE TRANSIT. NOUS PRESENTONS LA NOUVELLE STRUCTURE EMETTEUR-BASE ET L'INTEGRATION TECHNOLOGIQUE DE LA BASE MINCE EPITAXIEE SIGE DANS LE PROCEDE DE FABRICATION BIPOLAIRE. PUIS LE FONCTIONNEMENT ET LES PROPRIETES PHYSIQUES DU TRANSISTOR BIPOLAIRE A HETEROJONCTION SONT DECRITES. L'ANALYSE STATIQUE A PERMIS DE METTRE EN EVIDENCE L'EFFET DE LA PERIPHERIE DES TRANSISTORS DANS LES VERSIONS MUREES ET NON MUREES, EN PARTICULIER DU POINT DE VUE DES COURANTS DE FUITE. LA CARACTERISATION DYNAMIQUE DE CES COMPOSANTS A REVELE L'IMPACT DU DOPAGE DU COLLECTEUR (EFFET KIRK PREMATURE) SUR LA FREQUENCE DE TRANSITION DU TRANSISTOR, CECI A PARTIR DE L'EXTRACTION DES PARAMETRES DU CIRCUIT EQUIVALENT. L'ETUDE DES PROPRIETES PHYSIQUES A BASSE TEMPERATURE A PERMIS DE DISSOCIER LA REDUCTION DE LA BANDE INTERDITE DE LA BASE DUE AU GERMANIUM DE CELLE DUE AU FORT DOPAGE. NOUS AVONS EGALEMENT MIS EN EVIDENCE LA PRESENCE DE BARRIERES DE POTENTIEL PARASITES DE PART ET D'AUTRE DE LA BASE, NOTAMMENT DANS LE CAS DES TRANSISTORS DE PETITE GEOMETRIE. AINSI NOUS AVONS PU EXPLIQUER LE FONCTIONNEMENT STATIQUE ET DYNAMIQUE DES TBH REALISES AU CNET MEYLAN.