Influence et passivation par l'hydrogène de défauts recombinants dans du silicium polycristallin de type P
Author | : Larbi Ammor |
Publisher | : |
Total Pages | : 208 |
Release | : 1987 |
ISBN-10 | : OCLC:490223538 |
ISBN-13 | : |
Rating | : 4/5 (38 Downloads) |
Download or read book Influence et passivation par l'hydrogène de défauts recombinants dans du silicium polycristallin de type P written by Larbi Ammor and published by . This book was released on 1987 with total page 208 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: DETERMINATION DE L'INFLUENCE DES DISLOCATIONS SUR LES PROPRIETES ELECTRIQUES DU SILICIUM. MISE EN EVIDENCE D'UNE CORRELATION ENTRE LA PRESENCE DE DENSITES ELEVEES DE DISLOCATIONS, LA DECROISSANCE DES LONGUEURS DE DIFFUSION DES PORTEURS MINORITAIRES, LA PRESENCE DE PRECIPITES ET LES CONCENTRATIONS DE CARBONE DEPASSANT LA LIMITE DE SOLUBILITE. EFFET D'UN RECUIT PROLONGE SOUS FLUX D'HYDROGENE MOLECULAIRE OU PAR IMPLANTATION D'IONS H**(+) PENDANT QUELQUES MINUTES. L'IMPORTANCE DU PHENOMEME DE PASSIVATION PAR RAPPORT A LA PRESENCE DE DISLOCATIONS EST SOULIGNEE