Optimisation théorique et expérimentale des transistors à effet de champ multicanaux à gaz bidimensionnel d'électrons AlGaAs/GaAs pour l'amplification de puissance en hyperfréquences

Optimisation théorique et expérimentale des transistors à effet de champ multicanaux à gaz bidimensionnel d'électrons AlGaAs/GaAs pour l'amplification de puissance en hyperfréquences
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Book Synopsis Optimisation théorique et expérimentale des transistors à effet de champ multicanaux à gaz bidimensionnel d'électrons AlGaAs/GaAs pour l'amplification de puissance en hyperfréquences by : Farid Temçamani

Download or read book Optimisation théorique et expérimentale des transistors à effet de champ multicanaux à gaz bidimensionnel d'électrons AlGaAs/GaAs pour l'amplification de puissance en hyperfréquences written by Farid Temçamani and published by . This book was released on 1990 with total page 134 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Le transistor à effet de champ à gaz bidimensionnel d'électrons (TEGFET) a montré une meilleure montée en fréquence que le transistor MESFET. Cependant, ses performances en puissance étaient soumises à des limitations physiques profondes. C'est ce problème qui a fait l'objet de ce travail. Une première étude théorique et expérimentale de la tension de claquage a permis d'en expliquer l'origine et d'aboutir à une structure spéciale ayant une bonne tenue en claquage. Ensuite une étude plus générale nous a permis par l'utilisation de TEGFET multicouches optimaux d'aboutir à des performances intéressantes de puissance. La suite du travail a concerné les corrélations entre les paramètres technologiques et électriques avec les performances de puissance. Enfin, l'étude a été complétée par une investigation des problèmes relatifs à la résistance de source et à l'impédance de sortie. Nous avons mis ainsi en évidence un des problèmes essentiels posés par le comportement des transistors à effet de champs millimétriques de puissance.


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