Download or read book Procédés thermiques rapides pour la réalisation de diélectriques ultraminces sur silicium. Caractérisation par spectroellipsométrie written by NATHALIE.. GONON and published by . This book was released on 1993 with total page 137 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: La réalisation de diélectriques ultraminces inférieurs à 10 nm, est nécessaire dans plusieurs domaines: la microélectronique ou la réduction continuelle des dimensions des circuits intégrés mos implique l'utilisation de diélectriques de plus en plus minces et dans celui des hétérostructures capacitives pour capteurs biologiques. L'oxydation thermique du silicium est le procédé le plus performant pour la réalisation des dispositifs pré-cités. Récemment, une technique de croissance à très hautes températures et a temps d'oxydation très courts s'est développée avec l'arrivée des procédés thermiques rapides. Des couches diélectriques ultra-minces sur silicium ont été réalisées par oxydation thermique rapide sous O#2 et sous N#2O à pression proche de la pression atmosphérique. La caractérisation de ces couches a été faite par spectroellipsométrie. Celle-ci nous a permis de mettre en évidence un régime de croissance initial rapide, avec toutefois un ralentissement de cette croissance pour les oxydes faits sous N#2O, ainsi qu'un indice des couches réalisées plus élevé que celui de la silice standard. Des analyses complémentaires (spectroscopie Auger, sonde ionique, mesures électriques) ont confirmé cet indice élevé et ont révélé un problème d'interface. Elles nous ont permis d'émettre des hypothèses quant a l'origine des indices élevés (densification, présence d'une couche interfaciale SIO#2, silicium en excès a l'interface) et la croissance des oxydes RTO (croissance volumique)