Download or read book Conception et réalisation de transistors à effet de champ à hétérojonction sur substrat InP pour amplification de puissance en bande W written by Farid Medjdoub and published by . This book was released on 2004 with total page 173 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Ce procédé nous permet d'éloigner la surface du gaz bidimensionnel de manière à obtenir un courant de drain élevé et éviter l'effet kink tout en maintenant un rapport d'aspect favorable pour les grilles sub-1OO nm. Il apparaît que les fréquences de coupure Ft évoluent de manière croissante en fonction de la réduction de la longueur de grille. Nous avons atteint des fréquences Ft et Fmax respectives de 210 GHz et 420 GHz. Ce procédé étant validé, nous l'avons appliqué aux structures comportant des canaux tels que l'InP et l'InAsP. Nous sommes parvenus à une fréquence de coupure de 125 GHz et une fréquence maximum d'oscillation de 380 GHz avec une grille de 50 nm pour la structure à canal InP, ce qui représentent les meilleures performances fréquentielles obtenues jusqu'à présent sur ce type de composant. Sur la structure à canal InAsP, nous atteignons une fréquence de coupure de 140 GHz, une fréquence maximum d'oscillation de 430 GHz et un gain maximum disponible à 94 GHz de 13 dB avec une grille de 70 nm. Sa faible ̧conductance de sortie comparée à la structure à canal GaInAs, associée à la barrière composite nous a permis d'atteindre l'état de l'art mondial en puissance des HÉMTs sur substrat InP.