Conception et realisation de transistors a effet de champ de la filiere AlinAs/GainAs sur substrat InP. Application a l'amplification faible bruit en ondes millimetriques

Conception et realisation de transistors a effet de champ de la filiere AlinAs/GainAs sur substrat InP. Application a l'amplification faible bruit en ondes millimetriques
Author :
Publisher :
Total Pages : 0
Release :
ISBN-10 : OCLC:493598836
ISBN-13 :
Rating : 4/5 (36 Downloads)

Book Synopsis Conception et realisation de transistors a effet de champ de la filiere AlinAs/GainAs sur substrat InP. Application a l'amplification faible bruit en ondes millimetriques by : Pascal Chevalier (ingénieur)

Download or read book Conception et realisation de transistors a effet de champ de la filiere AlinAs/GainAs sur substrat InP. Application a l'amplification faible bruit en ondes millimetriques written by Pascal Chevalier (ingénieur) and published by . This book was released on 1998 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:


Conception et realisation de transistors a effet de champ de la filiere AlinAs/GainAs sur substrat InP. Application a l'amplification faible bruit en ondes millimetriques Related Books

Conception et réalisation de transistors à effet de champ de la filière AlInAs/GaInAs sur substrat InP
Language: fr
Pages: 364
Authors: Pascal Chevalier (ingénieur).)
Categories:
Type: BOOK - Published: 1998 - Publisher:

DOWNLOAD EBOOK

L'essor des applications hyperfrequences fonctionnant en ondes millimetriques necessite le developpement de nouvelles filieres de circuits integres. Un composan
Conception, réalisation et caractérisation de transistors à effet de champ à hétérojonction sur substrat d'InP pour circuits intégrés coplanaires en bandes V et W
Language: fr
Pages: 0
Authors: Virginie Hoel
Categories:
Type: BOOK - Published: 2013 - Publisher:

DOWNLOAD EBOOK

Les nouvelles applications necessitent des frequences de travail toujours plus elevees. Pour cela, nous souhaitons realiser des circuits amplificateurs faible b
Réalisation et caractérisation de transistors à effet de champ à hétérojonction de la filière AlInAs-GaInAs pour applications en ondes millimétriques
Language: fr
Pages: 184
Authors: Hervé Fourre
Categories:
Type: BOOK - Published: 1997 - Publisher:

DOWNLOAD EBOOK

Ce travail presente l'etude, la realisation et la caracterisation de transistors a heterojonction alinas/gainas dans les differentes filieres existantes, a savo
Al1-xInxAs/Ga1-xInxAs high electron mobility transistor on GaAs and InP for power millimeter applications
Language: en
Pages: 496
Authors: Mustafa Boudrissa
Categories:
Type: BOOK - Published: 2001 - Publisher:

DOWNLOAD EBOOK

Ce travail concerne l'étude des potentialités de deux filières de transistor HEMT AlInAs/GaInAs pour les applications de puissance en ondes millimétriques.