Download or read book CONTRIBUTION A LA MODELISATION PAR GRAPHE DE LIENS DU TRANSISTOR MOS DE PUISSANCE written by HICHEM.. HELALI and published by . This book was released on 1995 with total page 163 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LES MODELES DE COMPOSANTS A SEMICONDUCTEUR DEVELOPPES POUR LA MICRO-ELECTRONIQUE NE SONT PAS SATISFAISANTS POUR L'ELECTRONIQUE DE PUISSANCE. LE CEGELY A DEVELOPPE LE SIMULATEUR PACTE BASE SUR LA METHODE DES GRAPHES DE LIENS ET LE LANGAGE DE DESCRIPTION DE MODELES M++. DANS CE CADRE NOUS AVONS ADAPTE LES PRINCIPAUX MODELES SPICE A M++ POUR FACILITER LA SIMULATION DES COMMANDES DE COMPOSANTS DE PUISSANCE. PAR AILLEURS, EN SUIVANT LA DEMARCHE DE MODELISATION DU CEGELY QUI EST FONDEE SUR L'UTILISATION DE MODELES DE REGIONS SEMICONDUCTRICES ELEMENTAIRES, NOUS AVONS DEVELOPPE UN NOUVEAU MODELE DU MOS DE PUISSANCE. EN PARTICULIER, UN MODELE DU CANAL (REGION SEMICONDUCTRICE ELEMENTAIRE) A ETE DEVELOPPE. CELUI-CI EST ADAPTE AU MOS DE PUISSANCE CAR IL PREND EN COMPTE UN DOPAGE VARIABLE ET LE DESEQUILIBRE TRANSVERSAL DES ELECTRONS DANS LE CANAL. TOUTE L'ANALYSE PHYSIQUE DE CE TRAVAIL DE MODELISATION REPOSE SUR UNE COMPARAISON SYSTEMATIQUE DES MODELES ANALYTIQUES POUR UN MOS DE REFERENCE SIMULE AVEC LE SIMULATEUR MEDICI. LES RESULTATS OBTENUS AVEC NOTRE MODELE MONTRENT UN NET PROGRES PAR RAPPORT AUX MODELES CLASSIQUES COMPARES AVEC LA SIMULATION MEDICI ET L'EXPERIENCE, NOTAMMENT EN REGIME STATIQUE