Contribution à l’étude des effets liés au transport de l’hydrogène dans les couches minces et les dispositifs à base de silicium amorphe et microcristallin

Contribution à l’étude des effets liés au transport de l’hydrogène dans les couches minces et les dispositifs à base de silicium amorphe et microcristallin
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Book Synopsis Contribution à l’étude des effets liés au transport de l’hydrogène dans les couches minces et les dispositifs à base de silicium amorphe et microcristallin by : Nans Pham

Download or read book Contribution à l’étude des effets liés au transport de l’hydrogène dans les couches minces et les dispositifs à base de silicium amorphe et microcristallin written by Nans Pham and published by . This book was released on 2009 with total page 150 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Dans cette thèse nous nous sommes intéressés à certains aspects liés au transport de l'hydrogène dans le silicium amorphe hydrogéné (a-Si:H) et microcristallin (μc-Si:H). Après avoir amélioré le dispositif expérimental dédié à la mesure de l'hydrogène effusant de a-Si:H sous éclairement, nous avons mis en évidence que, avant d'effuser, lh'ydrogène diffuse dans le matériau sous forme moléculaire, car la recombinaison a lieu au sein du matériau. De plus, bien que la quantité d'hydrogène effuséee hors de l'échantillon soit très faible, les mesures d'ellipsométrie et d'exodiffusion thermique montrent que l'éclairement modifie considérablement la distribution de l'hydrogène dans le matériau. Dans une deuxième partie nous avons observé par ellipsométrie spectroscopique la cinétique de cristallisation par transport chimique de couches de a-Si:H dopé et intrinsèque. Nous avons auinsi confirmé le caractère particulier de a-Si:H de type p, par rapport aux types i et n, du fait du bore qui ralentit la gravure et favorise la diffusion de l'hydrogène nécessaire au recuit chimique. Nous avons conçu un modèle de diffusion limitée par les pièges afin d'interpréter la sortie de l'hydrogène de l'échantillon dès que la cristallisation commence. Dans une troisième partie, nous avons étudié les phénomènes de pelage se produisant dans les couches de μc-Si:H utilisées dans la fabrication de transistors à effet de champ. Ces effets sont attribués d'une part à l'accumulation de l'hydrogène à l'interface avec le substrat et d'autre part aux contraintes mécaniques présentes aux interfaces. Nous avons mis en évidence qu'un plasma H2 prolongé sur le substrat prévenait le pelage


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