Contribution à l'étude des phénomènes de recombinaison et de passivation des défauts par diffusion de cuivre et d'aluminium dans du silicium polycristallin
Author | : Mohammed Zehaf |
Publisher | : |
Total Pages | : 192 |
Release | : 1985 |
ISBN-10 | : OCLC:490974971 |
ISBN-13 | : |
Rating | : 4/5 (71 Downloads) |
Download or read book Contribution à l'étude des phénomènes de recombinaison et de passivation des défauts par diffusion de cuivre et d'aluminium dans du silicium polycristallin written by Mohammed Zehaf and published by . This book was released on 1985 with total page 192 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: ETUDE DE LA CORRELATION ENTRE LA VARIATION DES PROPRIETES ELECTRONIQUES (LONGUEUR DE DIFFUSION, VITESSE DE RECOMBINAISON INTERFACIALE DES JOINTS, MOBILITE, PHOTOCONDUCTIVITE...) ET LES VARIATIONS DE DENSITES DE DEFAUTS OU DE CONCENTRATION EN IMPURETES. ON MET EN EVIDENCE L'EFFET DU CUIVRE DANS LE CAS DE MATERIAUX CONTENANT DE L'OXYGENE ET DE L'ALUMINIUM DANS CEUX CONTENANT DES DISLOCATIONS DONT IL INHIBE L'ACTIVITE DE RECOMBINAISON