Contribution à l'étude du dopage et de la recombinaison dans le silicium amorphe hydrogéné
Author | : Frédéric Vaillant |
Publisher | : |
Total Pages | : 159 |
Release | : 1987 |
ISBN-10 | : OCLC:489748734 |
ISBN-13 | : |
Rating | : 4/5 (34 Downloads) |
Download or read book Contribution à l'étude du dopage et de la recombinaison dans le silicium amorphe hydrogéné written by Frédéric Vaillant and published by . This book was released on 1987 with total page 159 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: EFFET DE L'INTRODUCTION DE DIBORANE ET DE PHOSPHINE DANS LE MELANGE GAZEUX DEPOSE PAR DECHARGE ELECTROLUMINESCENTE A 50 H::(3). CARACTERISATION PAR METHODE OPTIQUE DANS LE VISIBLE ET L'IR, DEFLEXION PHOTOTHERMIQUE, CONDUCTIVITE ET PHOTOCONDUCTIVITE STATIONNAIRE. VARIATION AVEC LE DOPAGE DE PROPRIETES ELECTRIQUES. PROPOSITION D'UN NOUVEAU MODELE DE RECOMBINAISON