DEPOT DES COUCHES DE SILICIUM POLYCRISTALLIN DOPEES IN -SITU AU PHOSPHORE PAR LA TECHNOLOGIE VLPCVD

DEPOT DES COUCHES DE SILICIUM POLYCRISTALLIN DOPEES IN -SITU AU PHOSPHORE PAR LA TECHNOLOGIE VLPCVD
Author :
Publisher :
Total Pages : 296
Release :
ISBN-10 : OCLC:490314033
ISBN-13 :
Rating : 4/5 (33 Downloads)

Book Synopsis DEPOT DES COUCHES DE SILICIUM POLYCRISTALLIN DOPEES IN -SITU AU PHOSPHORE PAR LA TECHNOLOGIE VLPCVD by : AHMED.. LIBA

Download or read book DEPOT DES COUCHES DE SILICIUM POLYCRISTALLIN DOPEES IN -SITU AU PHOSPHORE PAR LA TECHNOLOGIE VLPCVD written by AHMED.. LIBA and published by . This book was released on 1993 with total page 296 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CE TRAVAIL PRESENTE UNE ETUDE DES DEPOTS SUR SUBSTRAT DE VERRE DE SILICIUM DOPE IN SITU AU PHOSPHORE, PAR LA TECHNIQUE DE DECOMPOSITION THERMIQUE DE SILANE A BASSE PRESSION OU LPCVD. L'OBJECTIF DE CETTE ETUDE EST LA MAITRISE DU TAUX DE DOPAGE DE L'ELEMENT PHOSPHORE DANS LES COUCHES MINCES DE SILICIUM ELABOREES A UNE TEMPERATURE N'EXCEDANT PAS 600C. NOUS AVONS CHERCHE LES PARAMETRES DE DEPOT (TEMPERATURE, PRESSION, RAPPORT PH#3/SIH#4) QUI CONDUISENT A DES FILMS PERMETTANT LA REALISATION DE TRANSISTORS COUCHES MINCES


DEPOT DES COUCHES DE SILICIUM POLYCRISTALLIN DOPEES IN -SITU AU PHOSPHORE PAR LA TECHNOLOGIE VLPCVD Related Books

DEPOT DES COUCHES DE SILICIUM POLYCRISTALLIN DOPEES IN -SITU AU PHOSPHORE PAR LA TECHNOLOGIE VLPCVD
Language: fr
Pages: 296
Authors: AHMED.. LIBA
Categories:
Type: BOOK - Published: 1993 - Publisher:

DOWNLOAD EBOOK

CE TRAVAIL PRESENTE UNE ETUDE DES DEPOTS SUR SUBSTRAT DE VERRE DE SILICIUM DOPE IN SITU AU PHOSPHORE, PAR LA TECHNIQUE DE DECOMPOSITION THERMIQUE DE SILANE A BA
Etude des propriétés thermiques électriques et mécaniques des couches minces de polysilicium dopées in situ phosphore déposées par LPCVD sur des structures à fort rapport d'aspect
Language: fr
Pages: 199
Authors: Florent Lallemand
Categories:
Type: BOOK - Published: 2009 - Publisher:

DOWNLOAD EBOOK

La technologie PICS (Passive Integration Connective Substrate) permet une forte intégration sur silicium de composants passifs, notamment de condensateurs haut