Download or read book Etude de la fiabilité de l'oxyde SiO2 dans les dispositifs CMOS avancés et les mémoires non-volatiles written by David Pic and published by . This book was released on 2007 with total page 244 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: La fiabilité du diélectrique SiO2 suscite toujours un intérêt majeur pour l'intégration des nouvelles technologies et le développement de méthodes adaptées à l'évaluation de la qualité de l'oxyde lors de la fabrication des produits. L'épaisseur de cette couche n'a cessé de diminuer et est devenue inférieure à 1.5 nm pour les technologies les plus avancées. L'origine physique du mécanisme responsable du claquage pour cette gamme d'oxyde n'est pas encore totalement élucidée. D'autre part, l'intégration des mémoires EEPROM est confrontée au mécanisme de courant de fuite induit par contrainte électrique qui constitue un souci majeur pour la fiabilité devant garantir la conservation de l'information pendant 10 ans. Le site de STMicroelectronics de Rousset a pour vocation de transférer en production des technologies CMOS de la filière du 90 nm avec des mémoires non-volatiles embarquées. L'un des principaux secteurs de son activité concerne les applications automobiles fonctionnant à 150oC. Dans ce cadre à la fois fondamental et appliqué, ce mémoire traite la fiabilité des oxydes. Nous avons abordé deux domaines : La fiabilité des oxydes ultra-minces (