Download or read book Etude des mécanismes de dégradation des transistors MOS haute tension des technologies CMOS et BiCMOS avancées written by Damien Lachenal and published by . This book was released on 2007 with total page 215 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: L'intégration de transistors haute tension sur une base CMOS afin de créer des systèmes sur puce plus complets implique une augmentation des problèmes de fiabilité dont l'origine provient des forts champs électriques utilisés vis-à-vis de l'épaisseur d'oxyde de grille déposée. Ce manuscrit de thèse évalue la fiabilité du transistor NLDMOS en technologie SOI pour différentes conditions de stress (Ibmax, Vgmax, ON, OFF à fort Vds). Selon le type de stress appliqué, la localisation des états d'interfaces est différente. Les différentes cinétiques de dégradation du courant linéaire ont été modélisées grâce à l'enrichissement du modèle R-D ainsi que par la mise en place d'une nouvelle méthode permettant d'extraire rapidement avec plus de précision les durées de vie et tensions maximums applicables sur le drain. Finalement, l'évaluation de la fiabilité d'un circuit analogique basée sur le vieillissement du NLDMOS a été réalisée à partir des modèles semi-empiriques proposés.