Download or read book Etude du vieillissement de différentes structures de Transistors Bipolaires à Grille Isolée (IGBT) written by Cheick Oumar Maïga and published by . This book was released on 2006 with total page 130 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Le travail présenté dans cette thèse porte sur l’étude du vieillissement de différentes technologies de Transistors Bipolaires à Grille Isolée (IGBT). Il s’agit de trouver une (des) signature(s) électrique(s) de l’effet du vieillissement des principaux types d’IGBT présents sur le marché des composants de puissance. Nous avons analysé les effets des stress thermoélectriques par polarisation inverse sous haute température (HTRB) et par polarisation de grille sous haute température (HTGB) sur des IGBT issus les deux principales technologies qui sont la technologie à grille enterrée (Trench-IGBT) et la technologie planar, ou à grille de surface, avec ses deux structures : la structure de type épitaxiée (Punch-Trough IGBT) et la structure de type homogène (Non-Punch-Through IGBT). L’étude du vieillissement de ces IGBT a mis en évidence une évolution plus ou moins significative de certains de leurs paramètres électriques qui pourraient être utilisés comme indicateurs de vieillissement. L’aspect système a été abordé sous l’angle de l’analyse des conséquences de l’évolution des temps de commutation des IGBT sur la sûreté de fonctionnement d’un onduleur de tension fonctionnant en modulation de largeur d’impulsion Dans certaines conditions de fonctionnement, ces vieillissement conduiraient à une modification des spectres harmoniques du courant et de la tension de sortie dans le cas des IGBT de technologie planar et à des courts-circuits de bras dans le cas des IGBT de technologie à grille isolée.